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三菱电机开始提供功率半导体「SiC-MOSFET 1200V-N系列」样品 [2020/6/16]

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2020616

三菱电机株式会社

 


有助于车载充电器和太阳能发电等电源系统的低功耗化及小型化

三菱电机开始提供功率半导体「SiC-MOSFET 1200V-N系列」样品

 

三菱电机株式会社将于20207月开始提供功率半导体新产品「SiC-MOSFET※1 1200V-N系列」6个品种的样品。该系列产品具有低功率损耗和高抑制误开通能力,有助于需要功率变换的高压车载充电器和太阳能发电等各种电源系统低功耗化及小型化。

本产品将在“PCIM Asia2020111618日于中华人民共和国上海举行)上展出。

※1 SiCSilicon Carbide(碳化硅)

MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金属氧化膜半导体场效应晶体管

 


SiC-MOSFET 1200V-N系列

 

 

新产品的特点:

1搭载高性能SiC-MOSFET有助于电源系统的低功耗化及小型化

通过搭载采用JFET掺杂技术※2新开发的SiC-MOSFET具有低导通电阻和低开关损耗实现了业界领先水平※3的性能指数FOM=1450mΩnC※4与现有的Si-IGBT产品相比减少了约85%的功率损耗,有助于电源系统的低功耗化

通过降低诱发误导通的反馈电容※5其他公司同等品相比SiC-MOSFET应用中常见导通承受能力改善了约14※6。降低了开关损耗,实现了高速开关,。

通过降低开关损耗实现散热设备的小型化及简单化、通过提高开关频率※7实现电抗器等周边零部件的小型化,有助于系统整体的小型化和低成本化

※2 JFETJunction Field Effect Transistor:将领域内的杂质浓度高浓度化,实现器件高密度化的技术

※3 2020616日時点(本公司调查)

※4  FOM(Figure of Merit)功率MOSFET的性能指数数值越小性能越高。其定义为Tj=100℃时的导通电阻与栅极和漏极之间电荷量的乘积

※5 MOSFET结构上存在的栅极和漏极之间的寄生电容(Crss

※6 Ciss/Crss(输入电容/反馈电容计算得到误开启Self Turn-on承受能力(本公司调查)

※7 控制逆变器电路中开关元件ON/OFF时机的频率

 

2包含符合AEC-Q101在内的共计6个产品种类,适用用途广泛

包含符合AEC-Q101※83个品种在内的共计6个产品种类,适用于车载充电器和太阳能发电等广泛的电源系统

※8 Automotive Electronics Council(车载电子零部件质量规格)

 

发售概要:

产品名

遵循标准

型号

VDS

RDS(on)

_typ.

ID

封装

开始提供

样品月份

SiC-MOSFET

AEC-Q101

BM080N120SJ

1200V

80mΩ

38A

TO-247-3

2020

7

BM040N120SJ

40mΩ

68A

BM022N120SJ

22mΩ

102A

BM080N120S

80mΩ

38A

BM040N120S

40mΩ

68A

BM022N120S

22mΩ

102A

 

销售目标:

        近年来从节能和环保的观点出发对于可大幅降低功率损耗的SiC功率半导体的期待与日俱增。本公司于2010年将搭载了SiC-SBD※9SiC-MOSFETSiC功率半导体模块产品化有助于家电、工业设备和铁路车辆逆变器系统的低功耗化和小型及轻量化。此次面向车载充电器和太阳能发电等需要功率变换的高电压电源系统开始提供功率半导体「SiC-MOSFET 1200V N-系列」的样品有助于电源系统的低功耗化及小型化。

       本产品的开发部分得到了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支持。

9 SBD: Schottky Barrier Diode(肖特基势垒二极管)

 

主要规格:

型号

BM080N120SJ

BM040N120SJ

BM022N120SJ

VDS

1200V

RDS(on)_typ.

[Tc=25℃]

80mΩ

40mΩ

22mΩ

ID_max.

[Tc=25℃]

38A

68A

102A

封装

TO-247-3

封装尺寸

15.9 × 41.0 × 5.0mm

 

环保考虑:

符合RoHS※10指令(2011/65/EU, 2015/863/EU

10 Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

 

制作工厂:

三菱电机株式会社 功率器件制作所

福冈县福冈市西区今宿东一丁目11

邮编: 819-0192

 

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